高速I/F

●MIPI開発実績

開発ブロック：

D-PHY (HS-TX、HS-RX, LP-TX、LP-RX, LP-CD)

バージョン：

2.1

Data Rate：

1.5Gbps

プロセス：

22n～90n

●PCI Express開発実績

開発ブロック：

PHY (BIAS , LDO, TX , RX)

バージョン：

Gen4～Gen1

Data Rate：

16G～2.6Gbps

プロセス：

7n～90n

●DisplayPort/Embeded DisplayPort開発実績

開発ブロック：

PHY (BGR, LDO, PLL, TX, AUX-TX, AUX-RX)

Data Rate：

2.7Gbps/1.35Gbps

プロセス：

40n～90n

●DDR開発実績

開発ブロック：

PHY (BIAS , RX)

バージョン：

DDR4

プロセス：

28n

●LVDS開発実績

開発ブロック：

PHY(RX、TX)

Data Rate：

150Mbps

プロセス：

7n～90n

●SGMII開発実績

開発ブロック：

PHY(RX、TX)

Data Rate：

1.25Gbps

プロセス：

22n～28n

●PLL開発実績

Data Rate：

9GHz（インバータリング）

　

1.2GHz（差動リング）

　

12GHz以上（LCタンク）

プロセス：

12n～90n

●DAC開発実績

開発ブロック：

電流セルマトリクス　12bit

　

抵抗ラダー　16bit

　

R2R　8bit

電源

●高いアナログ基本設計技術

　

スクラッチレベルでの新規回路設計が対応可能

　

(アンプ、コンパレータ、BGR、基準電圧/電流源、UVLO等)

　

用途に合わせたオペアンプ構成に対応(Rail to Rail, AB級出力, 高SR, 低消費等)

　

Fuse, MOS-SW切替による最適なトリミング回路ご提案

●汎用LDO開発実績

低消費電流(0.9uA＠Typ)タイプ、大出力電流(1A)タイプ等、多彩なコンセプトに対応

基準電圧源 ：

BGR(温特曲率補正による高精度も対応)、Depression＋Enhancement型

位相補償 ：

広範囲の外付部品、負荷条件に対応

高PSRR：

他特性とのトレードオフを考慮し、高PSRRを実現

各種保護回路：

過電流保護(フの字特性)、過熱保護等

●汎用DCDCコンバータ開発実績

タイプ：

降圧、昇圧(負電圧出力含む)

制御方式：

電圧モード、電流モード

　

同期整流、非同期整流

　

PWM / PFM切替対応

出力部：

デッドタイム設定回路 、軽負荷時の電流逆流防止回路、ブートストラップ回路

各種保護回路：

過電流保護、短絡保護、過熱保護等

●車載ドライバ設計実績

　

ドライバ(ソレノイド、SiC、IGBT等)、IPD

　

電圧範囲 ： 最大80V